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sp;“你说得轻巧,国家现在哪儿哪儿都是窟窿,哪儿哪儿都要发展,半导体这个行业不是靠投入就能投出来的。你第二个办法更不靠谱。”

    “第一个办法要有力度,最大的力度。第二个办法还真就靠谱,他们马上就要碰到坎儿了。业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm技术节点,而157nm将成为主流技术。然而,157nm光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。这是由于绝大多数材料都会强烈地吸收157nm的光波,所以这个就是他们的坎儿。”

    “你仔细和我说说。”

    “现在国外几家大厂都是使用DUV,也就是深紫外光,通过氟化氪KrF 准分子激光来产生波长248 nm的光,这种光刻机是现在的主流,他们实验室里现在已经基本研发完了通过氟化氩ArF准分子激光来产生波长193 nm光波的下一代光刻机,193nm光刻机没问题。但用F2准分子激光产生波长157nm的光就是个大坑了,他们过不去了,技术解决不了。瓶颈出现了,咱们追赶的机会来了。”

    “那他们的解决办法是什么?”

    “研发EUV光刻机,也就是极紫外光刻技术。极紫外光刻使用波长在13.5nm的软X射线来光刻,相当于用了一把更小、更锋利的‘刀’。极紫外光刻是5nm等更先进制程的必需工艺。但因为EUV不能穿透透镜,只能用特殊的反射镜来对焦,这样EUV的能量损失会很大,需要更长的曝光时间,会严重影响生产速度,这也就是EUV光刻机难以大规模量产的原因。因此我确信EUV光刻技术15年内完成不了原型机,20年内量产无望。”

    “你确定?”

    “我十分确定一定以及肯定。我了解到的信息是荷兰阿斯麦公司会联合花旗国的几家企业攻坚EUV这个难题,不带咱们玩,当然,他们也不代表日系厂商玩。尼康和佳能会死磕157nm光刻机,这个是死路一条,等到他们衰落下去了咱们可以联合他们在国内建厂,吸收他们的技术以后,再一起研发EUV光刻机,7nm以下的制程,DUV光刻机就不行了。”

    “等等,你说DUV光刻不能达到7nm以下?那你的意思是说DUV光刻能突破65nm,甚至28nm、14nm直至7nm?”

    “不错,能,甚至14nm,7nm都可以,但比较麻烦。”

    “怎么做?你怎么研究的?”

    “怎么研究的你就别管了。我接下来说的话你谁都不能说,包括在网络上,你看我特意找你办公室来聊,连icq都不用,你就知道问题的严重性了。”

    “有必要这么谨慎吗?”

    “当然有必要啦。此前,芯片制造工艺的更新换代是以3年为一个周期,但Intel率先将这个周期缩短为2年。Intel公司在1995年实现了0.35微米工艺量产,1997年他们会推出0.25微米产品,1999年就是0.18微米工艺,到了2001年则实现0.13微米产品的量产。英特尔在忠实地践行着摩尔定律啊。”

    “两年一个更新换代,这是要弄死AMD啊。”

    “这才好啊,这样咱们就可以拉拢AMD,对抗intel了啊。不过呢,这只可能是一个幻想罢了,英特尔、AMD和微软之间肯定是有默契的,他们会联合起来搞死其他所有人,然后他们自己再慢慢玩,但英特尔和AMD谁也不会被玩死,否则他们就涉嫌垄断了。”

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